Nmaterials and Methods A 0 és 0,12 mttriummal rendelkező Hastelloy

x ötvözetek (tömeg%) pontos kémiai készítményei (tömeg%) HX és HX

A, és Az 1. táblázatban látható. Ez a két példány 45 × 45 × 45 mm-es alakú alakban épült az EOS M290 SLM gép használatával (EOS, ROBERTSTIRING-RING 1, 82152, KRAILLING, Bavaria, Németország) a Védő AR atmoszféra előporosporokkal és ugyanazokkal a feldolgozási paraméterekkel. Szabványos hőkezelést végeztünk mind a HX, mind a HX-A minták esetében. Megoldás hőkezelés (ST) végeztünk 1177 ◦C 2 órán, majd levegőn lehűtöttük szobahőmérsékletre----

 A a kúszási vizsgálat, mi szeletelve a a kocka több mint 3,1 mm vastagságú lemezekbe; Ezekből a lemezekből a kúszási tesztmintákat elektrotermékkel vágtuk ki. Az egyes minták mérőméretei 19,6 × 2,8 × 3,0 mm. A CREEP tesztet 900 ◦C80 MPa körülmények között végeztük. A mintákat csiszolt alkalmazásával SiC csiszolópapírral akár fokozatú 1200

majd gyémánt paszta akár kolloid szilícium-dioxid (0,5 um) alkalmazásával Struers (Ballerup, Dánia) automata csiszológép. Az összes példányt ezután etanollal ultrahangos fürdőben 10 percig mossuk. 20% -os foszforsavval 80% -os vízoldattal rendelkező mintákat kaptunk az olvadt medence határainak megfigyelésére. A mikrostrukturális megfigyelést optikai mikroszkóppal (OM; Olympus Corp. Tokyo, Japán), egy szkennelési elektronmikroszkóppal (SEM; Hitachi, Ltd., Tokyo, Japán), Energy

Dispersive spektroszkópia (EDS) (S3700N típusú eds) A HORIBA SEISAKUSHO Co., Ltd., Kyoto, Japán által gyártott berendezések és a mező kibocsátású elektronmikroszkóppal (FE-SEM) (JSM/7100, JEOL, TOKYO, JAPAN) egy EDS-hez (EDAXAMETEX 9424). Image j szoftver (64#bit Java 1.8.0_172) használtunk a repedési frakció és a porozitási mérések elemzésére.+-----

 

 

 

 -

-----

 

--N

3.1. 

3.1.1

--duoilt példányok

figure 1 mutatja a hx és a hx \\ t Na példányok optikai mikrostruktúrák az AS

built állapotban. Mindegyik azonos feldolgozási paraméterekkel készült. A HXa minta, mutatott több repedés, mint HX (1a ábra), mert a HX a szereplő mintának további ittrium (Y) ötvözőelem, amely a HX próbatest hiányzott. A figyelemre méltó pont az, hogy az összes repedés párhuzamos az építési irányával (BD) (1b. Ábra). A repedés frakciói a HX és HXa példányok 1% és 5%, ill.

----F

igure 2. ábra SEM mikroszkópos felvétele a mint

built példány. Az alacsonyabbnagyításnál az összes példány olvadt medencehatárokat és megszilárdulási struktúrákat, például szemcseméreteket és dendriteket mutatott (2a, B ábra a HX és a 2C. ábra, D a HXA). A 2B. Ábra a HX-mintanagyobbnagyítással történő repedéseit mutatja. Mindkét példányban a repedések a gabona határa mentén alakultak ki, és az interdendritikus régiókban jelentek meg. 

\\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n NW A hex és a hx \\na példányok repedéseire kerültek. Az EDS elemzés a HX-minta (3a. Ábra) a Sic Carbides és a W6C képződést feltárta. A HX \\ NA mintásban a Crack eds leképezése az YC (3B. Ábra) \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n a hx \\na, mint \\nbuilt példány, amely a kis Y oxid (yttria) és az SI-oxid (szilícium-dioxid) részecskék létezését jelzi a gabona belsejében. Az elektron visszaszórási diffrakciós (EBSD) kristálytani orientációja térképek mindkét példányok, mint \\nbuilt állapot (5. ábra) feltárta oszlopos orientált szemcséket majdnem párhuzamos az épület irányába. A HX mintábannéhány gabona az irányba orientálódik, és egyesek az irányban vannak (5a. Ábra). Másrészt, a szemcsék a HX \\na mintának valamivel finomabb és többnyire orientált irányában (5b ábra) \\n \\n. \\ N \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n